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마이크로칩, MIL-PRF-19500/746 규격 충족 및 JANSF 300 Krad 성능 달성한 방사선 내성강화 전력 MOSFET 제품군 출시

극한 환경을 위한 설계, 총 이온화선량(TID) 100- 300 Krad 지원하는 방사선 내성강화 MOSFET

2025년 4월 18일 – JANS(Joint Army-Navy Specification) 인증은 항공우주, 방위산업, 우주비행용 애플리케이션에 사용되는 디스크리트(discrete) 반도체의 우수한 성능, 품질 및 신뢰성을 보장하는 최고 수준의 검증 및 승인 규격을 의미한다. 마이크로컨트롤러, 혼합 신호, 아날로그 반도체 및 플래시-IP 솔루션 분야의 세계적 리더인 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 자사의 방사선 내성강화 전력 MOSFET 제품군이 MIL-PRF-19500/746 슬래시 시트 규격을 충족했으며, 새로 개발된 JANSF2N8587U3 100V N채널 MOSFET이  300 Krad(Si)의 총 이온화 선량(TID)을 견딜 수 있는 JANSF 인증을 획득했다고 발표했다.

마이크로칩의 JANS 시리즈 방사선 내성강화(RH, rad-hard) 전력 디바이스는 100~250V의 전압 범위와 100 Krad(Si) TID를 지원하며, JANSF2N7587U3모델을 시작으로 300 Krad(Si) TID 이상의 더 높은 방사선 내성강화 보증(RHA, Radiation Hardness Assurance) 등급으로 확장되고 있다. JANS 등급의 RH 전력 MOSFET 다이는 MIL 인증을 받은 JANSR 다이를 사용한 플라스틱 패키지를 포함해 다양한 패키지 옵션으로 제공되며, 새로운 스페이스(New Space) 및 저궤도(LEO) 애플리케이션에 적합한 비용 효율적인 전력 디바이스다. 세라믹 패키지는 총 이온화선량과 SEE(단일 이벤트 환경, Single Event Environment)에 적합하도록 밀봉된 디자인으로 설계됐다.

또한 이 디바이스는 성능 향상을 통해 MIL-PRF-19500/746 표준을 충족하도록 설계되었으며, 우주와 같은 혹독한 환경을 견디면서도 전력 회로의 안정성을 높일 수 있는 고신뢰성 부품이 필요한 애플리케이션에 탁월한 제품이다.

마이크로칩 디스크리트 제품 부문의 레옹 그로스(Leon Gross) 부사장은 “방사선 내성강화 MOSFET에 요구되는 까다로운 사양을 충족하는 것은 매우 어려운 일이다. 이 개발 분야에 마이크로칩이 독자적인 방사선 내성강화 설계 공정 및 기술을 활용하여 중요한 이정표를 달성하게 되어 매우 기쁘다. 마이크로칩의 첨단 기술은 항공우주 및 방위산업 고객들에게 시장과 애플리케이션의 증가하는 수요를 충족할 수 있는 높은 신뢰성과 비용 효율적인 솔루션을 제공한다”고 말했다.

JANSF 및 JANSR RH 전력 MOSFET은 비절연 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 제어, 범용 스위칭을 포함한 전력 변환 회로에서 주요 스위칭 소자로 사용된다. 낮은 R_DS(ON) 와 낮은 토탈 게이트 차지를 제공하는 이 전력 MOSFET은 시중의 유사 디바이스 대비 에너지 효율이 향상되고 발열은 감소하며, 스위치 성능이 향상되었다.

마이크로칩은 항공우주 및 방위산업용 고신뢰성 솔루션을 광범위하고 다양하게 제공한다. 여기에는 내방사선(RT) 및 방사선 내성강화(RH) MCU, FPGA 및 이더넷 PHY, 전력 장치, RF 제품, 타이밍 솔루션, 그리고 베어 다이(Bare Die)부터 시스템 모듈까지 다양한 디스크리트 부품이 포함된다. 또한 고객을 위한 더 나은 지원을 제공하기 위해 QPL(품질 보증 목록)에 등재된 다양한 부품도 제공한다. 마이크로칩의 항공우주 및 방위산업용 솔루션에 대한 자세한 내용은 웹사이트를 방문하면 확인할 수 있다.